サムスン電子は１４日、米サンタクララマリオットホテルで「サムスン・ファウンドリー・フォーラム２０１９」を開催した。サムスン電子側は「今年のフォーラムで半導体の３ＧＡＥ（３ナノＧａｔｅ－Ａｌｌ－Ａｒｏｕｎｄ　Ｅａｒｌｙ）工程設計キットを顧客に配布した」と明らかにした。３ＧＡＥ工程設計キットはファウンドリー企業のサムスン電子の製造工程に最適化した半導体をファブレス企業が設計できるよう支援するプログラム。特にサムスン電子の３ＧＡＥは、現在の最新技術に挙げられる７ナノ基盤のチップに比べ面積が４５％縮小し、ウェハ１枚からより多くのチップを生産できる。また、消費電力が５０％ほど減少し、性能は３５％向上するというのが、サムスン電子の説明だ。


サムスン電子が宣言した「２０３０年までに非メモリー半導体１位」を達成するためにはファウンドリーとシステムＬＳＩ半導体市場のシェアを高める必要がある。このうちファウンドリーは微細工程技術の争いとなる。誰がチップの面積を縮小し、性能を高め、生産効率性を高めるかという競争だ。サムスン電子が今回のフォーラムで未来の市場を主導する３ナノ基盤の工程技術をファブレス企業と共有したのは結局、サムスン電子にチップの生産を任せるファブレス企業をより多く確保しようという意志が込められているということだ。