サムスン半導体のトップ浮上は、１９８３年に李秉チョル（イ・ビョンチョル）創業者が半導体進出を宣言して以来３４年間にわたり続けてきた挑戦と革新の結果だ。かつてＮＥＣと東芝がインテルを追撃したが、一度もトップになれず後退した事実がこれを証明している。先月２８日の次期大統領候補テレビ討論会で「サムスンなど大企業が２０年間も革新を怠った」という候補らの発言は無知に起因することも明らかになった。


サムスン半導体の懸命な革新と挑戦を見せる事例は多い。李秉チョル氏が内外の反対を押し切ってメモリー半導体に投資したことからして激しい挑戦だった。挑戦は後代にも受け継がれ、サムスンは１９９０年代以降１２８メガ・１ギガＤＲＡＭなどを世界で初めて開発し、メモリー市場の最強企業になった。２０１３年以降は世界初の３Ｄ　Ｖ－ＮＡＮＤと３Ｄ積層ＤＲＡＭで高集積半導体技術の新紀元を開いた。限界を越える革新なしには不可能なことだ。同じサムスン電子のギャラクシーフォンに核心プロセッサーチップ（ＡＰ）を供給しているが、ただで納品権を得るわけではない。米クアルコムなどとの激しい革新競争を勝ち抜いてこそ可能なことだ。