サムスン電子が今年４－６月期の半導体ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ市場で占有率３０％以上で１位を獲得、これに伴いサムスンと東芝の占有率格差は１－３月期８．６％ポイントから４－６月期は１０．３％ポイントに広がった。

２２日、半導体電子商取引サイトのＤＲＡＭエクスチェンジの報告書によると、サムスン電子の４－６月期ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの売り上げ（ブランド基準）は２３億５３００万ドルで前分期より８．２％増加した。

金額基準占有率は３０．８％で前分期（３０．０％）より０．８％ポイント上がった。


これに対し、１９８７年最初にＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発した元祖メーカーの東芝は４－６月期売り上げが直前分期比１．２％ポイントの増加にとどまった。４－６月期の占有率は２０．５％で、１－３月期（２１．４％）より０．９％ポイント落ちて３位との格差は０．８％ポイントだ。

占有率３～５位は米国のサンディスク（１９．７％）とマイクロン（１２．９％）、ＳＫハイニックス（９．５％）の順だ。