１９８３年、当時の李秉チョル（イ・ビョンチョル）サムスン会長は「半導体産業をわれわれ民族特有の強靭な精神力と創造性を基に推進しようと思う」とする“東京宣言”を出した。初期には日本企業の牽制とサムスンの技術力不足で苦戦したが、９４年に世界で初めて２５６メガビットのＤＲＡＭを開発して以来、これまでメモリ半導体業界の第１人者の座を守っている。東京宣言の後、トップクラス入りする時まで、実に１０年余りかかったことになる。

９９年、中国の華虹グループは日本ＮＥＣと合作して中国で初めて上海に８インチ（２００ｍｍ）ウェハーを使うＤＲＡＭ生産ラインを稼動した。中国政府が９０年代に始めた“国家重点半導体プロジェクト”の一環だった。最近の半導体業界では、中国企業が本格的に半導体事業に飛び込む契機となったこのプロジェクトを“北京宣言”と呼んでいる。中国企業の成長の勢いが半導体事業初期のサムスン電子と肩を並べるほどにすさまじいからだ。

中国政府の北京宣言から１０余年が過ぎた２０００年代後半から中国企業の成果が表に現れ始めている。特に世界半導体市場が不況に苦しんでいた過去５年間、ＳＭＩＣ・華虹ＮＥＣ（ＨＨ－ＮＥＣ）などの中国半導体企業は毎年１０％以上ずつ成長してきた。サムスン経済研究所は今年も中国半導体企業が平均１５％成長すると予想した。


“破竹の勢い”の足がかりは半導体産業のインフラづくりをして税制優遇措置を取るなど中国政府の積極的な育成策だ。これだけにとどまらず、中国国務院は２０１１年に「半導体・ディスプレー・素材部品などの成長産業分野で代表企業を育成してグローバル産業基地の礎石を固める」という中長期産業育成計画を改めて発表した。付加価値税の優待、外国人投資条件の改善、税制優遇措置など積極的な支援を惜しまないでいる。昨年は２０１５年までに２５０億ドルを投資してこの分野の生産量を２倍、市場規模を１．５倍に増やす計画も発表した。中国でノートブック・スマートフォンなどを生産する企業が増加し、半導体をはじめとする原材料需要が着実に増加しているためだ。

サムスン電子もこのような点を勘案して昨年９月から中国西安に総投資規模７０億ドルに達する半導体生産工場を建設中だ。中国半導体産業はすでに量的な成長はもちろん質的な成長にも乗り出している。中国のＳＭＩＣ・華虹ＮＥＣ、台湾のＴＳＭＣ・ＵＭＣなどはまだ自主開発した半導体製品よりは委託生産（ファウンドリ）に集中している。だが昨年、華為が自主開発したスマートフォン用クアッドコア・プロセッサ（ＡＰ）を発表するなど格差を縮めている。

業界関係者は「中国半導体企業が韓国の最先端半導体製品を威嚇するほどの水準ではまだない」としながらも「中国と韓国における半導体の技術格差は約２．５年だが、現在の成長の勢いを勘案すると２０２０年ごろには中国の一部の製品技術力が韓国を追い抜く可能性もある」と述べた。