サムスン電子がライバルの米マイクロンと提携し、次世代半導体技術の開発に取り組む。

サムスン電子は、低電力半導体メモリー「ハイブリッドメモリーキューブ（ＨＭＣ）」の共同開発のためマイクロン社と提携することになったと７日、明らかにした。サムスン電子の関係者は「ひとまずコンソーシアムはサムスン電子・マイクロンで始めるが、技術開発と標準化のため、他の企業が追加で合流する可能性がある」と説明した。

ＨＭＣは現在ＤＲＡＭの主流であるＤＤＲ３に代わる次世代メモリーの一つ。サムスン電子は昨年１２月、ＤＤＲ３に比べて処理速度を２倍ほど高められるＤＤＲ４を開発したが、ＨＭＣはこれを上回る半導体と評価されている。


ＨＭＣはＤＲＡＭを３次元形態に積んでデータ処理能力を高める。また従来のＤＲＡＭに比べて電力の消費は７０％、信号遅延現象は６０％ほど減らせる。

業界関係者は「ＤＤＲ３と似た消費電力で性能は１０倍ほど向上させられる」とし「２０１５年ごろ大量生産が可能」と予想した。