三星（サムスン）電子の崔志成（チェ・ジソン）副会長は２５日、下半期の投資計画に関し、「（メモリー半導体部門で）当初の計画より投資が増える可能性がある」と述べた。ソウルパレスホテルで開かれた研究開発（Ｒ＆Ｄ）成果共有投資協約式でだ。崔副会長は「投資は着実にしていて、減らすことはない」と付け加えた。

三星電子の今年の半導体分野の投資額は１０兆ウォン（約７５００億円）。このうち５兆８０００億ウォンをメモリー半導体分野に投資する方針だったが、当初の計画より投資規模が増える見込みだ。

崔重卿（チェ・ジュンギョン）知識経済部長官と李世鎔（イ・セヨン）三星電子協力会社協議会会長（イレンテック代表）らが協約式に出席した。


崔副会長は「来月中に中小企業との同伴成長投資財源として中小企業協力財団に１０００億ウォンを出えんする」と述べた。これが実現した場合、今年１月に政府が「同伴成長投資財源出えん税額控除制度」を制定して以来、大企業が中小企業を支援するために大中小企業協力財団に資金を出えんする最初の例となる。