ハイニックス半導体が東芝と次世代メモリー共同開発に乗り出す。両社は「ＳＴＴ－ＭＲＡＭ」に対する共同開発のほか、別途の合弁会社を設立して生産までする契約をしたと１３日に明らかにした。ＤＲＡＭメモリー業界２位のハイニックスが売却を控えＮＡＮＤフラッシュメモリー２位の東芝と電撃的に手を組んだ。

ＭＲＡＭは超高速・低電力で作動し、電力供給がなくてもデータを維持する非揮発性の長所と安定性などを備えた次世代核心メモリーだ。

両社は技術的長所と資源を最大限に活用し開発リスクを減らす一方、ＭＲＡＭの商用化時期を操り上げることができると期待している。また、ＭＲＡＭ開発と生産のための投資額を均等分担することにより投資リスクを縮小し、スケールメリットを前面に出して効率性を高められるとみている。これとともにハイニックスは東芝と従来の半導体特許の相互ライセンスと製品の長期供給契約を延長することにより両社間の特許紛争にともなう事業の不確実性を緩和した。