三星（サムスン）電子が従来の製品の処理速度に比べて１０倍速い次世代ＮＡＮＤ型フラッシュを来年から量産する。 同社は４００Ｍｂｐｓ速度でデータ処理が可能な「Ｔｏｇｇｌｅ　ＤＤＲ２．０」規格のＮＡＮＤ型フラッシュ開発を最近完了したと２２日、明らかにした。 これを受け、来年から２０ナノ級以下ＮＡＮＤ型フラッシュ全製品にこの技術を適用して販売する計画だ。

特にその間、世界市場を分け合ってきた日本の東芝が最近、Ｔｏｇｇｌｅ　ＤＤＲ２．０の標準化作業に参加することを決め、三星電子のＮＡＮＤ型フラッシュの競争力はさらに高まった。

三星電子は製品の量産とともに、この規格が国際標準に定着するよう世界半導体標準協議機構（ＪＥＤＥＣ）標準登録を提案したのに続き、来年初めまで登録を完了する計画だ。


同社半導体事業部メモリー戦略マーケティングチーム長の全東守（チョン・ドンス）副社長は「高速ＮＡＮＤ型フラッシュは第４世代スマートフォンとタブレットＰＣなど次世代情報機器に搭載されるなど、需要がどんどん増えるＮＡＮＤ型フラッシュ市場の核心戦略チップ」と説明した。



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