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三星、10倍速くなったNAND型フラッシュ来年から量産

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
 三星(サムスン)電子が従来の製品の処理速度に比べて10倍速い次世代NAND型フラッシュを来年から量産する。 同社は400Mbps速度でデータ処理が可能な「Toggle DDR2.0」規格のNAND型フラッシュ開発を最近完了したと22日、明らかにした。 これを受け、来年から20ナノ級以下NAND型フラッシュ全製品にこの技術を適用して販売する計画だ。

特にその間、世界市場を分け合ってきた日本の東芝が最近、Toggle DDR2.0の標準化作業に参加することを決め、三星電子のNAND型フラッシュの競争力はさらに高まった。

三星電子は製品の量産とともに、この規格が国際標準に定着するよう世界半導体標準協議機構(JEDEC)標準登録を提案したのに続き、来年初めまで登録を完了する計画だ。


同社半導体事業部メモリー戦略マーケティングチーム長の全東守(チョン・ドンス)副社長は「高速NAND型フラッシュは第4世代スマートフォンとタブレットPCなど次世代情報機器に搭載されるなど、需要がどんどん増えるNAND型フラッシュ市場の核心戦略チップ」と説明した。



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