三星（サムスン）電子はメモリー半導体分野で不動の世界１位だ。特に、生産効率を極大化させる技術であるナノ級微細工程の開発では‘世界初’タイトルを維持してきた。

ＤＲＡＭ分野で００年に１５０ナノ工程技術を発表して以来、最近の３０ナノ級まで、１０年間で９回も‘世界初’記録を維持してきた。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー分野でも０７年１０月に３０ナノ級６４Ｇｂ（ギガビット）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを世界で初めて開発した。このため２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーも三星が最も早く開発すると予想されていた。

しかし今月初め、米国のインテルとマイクロンの合弁会社ＩＭフラッシュ・テクノロジーズが２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表したのに続き、９日にはハイニックス半導体までが開発成功を発表し、三星電子の‘世界１位’の名声に汚点が生じた。


三星電子が予想外に２０ナノ工程技術で遅れをとった理由は何か。匿名を求めた三星電子の関係者は「昨年末２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発し、先月試作品も生産したが、発表の時期を見計らっていた」と述べた。当初、１月末に３０ナノ級ＤＲＡＭの開発を、今月初めに２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発を相次いで発表する計画だったが、予期せぬ事情で日程が狂ったということだ。

予期せぬ事情とは先月末のイ副社長の自殺。イ副社長が自宅で自殺するという事件が発生し、発表が遅れたということだ。社内に凶事が発生し、‘優秀な’成果を発表できなかったという。この関係者は「４－６月期から２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを世界で初めて量産することで名誉を回復する」と述べた。