ハイニックス半導体が２０ナノ級生産工程で６４Ｇｂ（ギガビット）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発するのに成功したと９日、明らかにした。今回の２０ナノ級技術の発表は、今月初めのインテルとマイクロンの合弁企業ＩＭフラッシュ・テクノロジーズに続いて世界で２番目。１ナノメートルは１０億分の１メートル。ナノ工程の数字が小さいほど回路幅が狭まり、３００ミリウェハーでさらに多くの半導体を生産できる。

ハイニックスの研究所長のパク・ソンウク副社長は「３０ナノ級工程より生産性が２倍ほど高く、業界最高レベルのコスト競争力を確保することになった」と述べた。

ハイニックスは昨年８月、３０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したが、６カ月後に２０ナノ級工程の開発にも成功した。０７年からの半導体不況にもかかわらず、売上高の１割を研究開発に持続的に投資し、インテルとＳＴマイクロエレクトロニクスの合弁会社ニューモニクスと分業戦略を通してナノ工程微細化期間を短縮した。


ハイニックスは２０ナノ級の６４ＧｂのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを今年下半期から量産する計画だ。また今年ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー専用ラインの清州（チョンジュ）工場に１兆ウォン（８００億円）を投資し、生産能力を２倍に増やす。６４ＧＢ（ギカバイト）メモリー時代を先導する戦略だ。６４ＧＢは、ＭＰ３音楽ファイル１万６０００曲、ＤＶＤ映画４０本、日刊新聞４００年分の情報を保存できる容量。

ハイニックスは通信技術に適用されたノイズ除去技術をＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体の開発に適用し、工程をさらに微細化する研究も推進する。ノイズ除去技術は一つのセルにある各情報を物理的に分離し、セル間の干渉によって生じるデータ重複現象をなくす技術。

パク副社長は「この技術を半導体に適用すれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー工程の微細化の限界を２０ナノ級以下に拡張し、１０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー生産も可能」と説明した。

今年のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場の主力製品は３０ナノ級で、来年から２０ナノ級が主力に浮上する見込みだ。昨年のグローバル市場シェアは三星（サムスン）電子が３９．６％で１位、日本の東芝（３３．９％）とハイニックス（９．９％）が後に続いた。

フラッシュメモリー＝ＭＰ３プレーヤー・デジタルカメラ・携帯電話などでデータを保存・削除する半導体。電源が消えても記録された内容が消えない非揮発性記憶装置で、資料の保存が主な用途。ＤＲＡＭは中央処理処置（ＣＰＵ）が作業をするためにデータをしばらく保管するところで、電源を切ればその内容が消える。