ハイニックス、世界２番目に２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー開発

2010.02.10 10:39

ハイニックスの研究所長のパク・ソンウク副社長は「３０ナノ級工程より生産性が２倍ほど高く、業界最高レベルのコスト競争力を確保することになった」と述べた。

ハイニックスは昨年８月、３０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したが、６カ月後に２０ナノ級工程の開発にも成功した。０７年からの半導体不況にもかかわらず、売上高の１割を研究開発に持続的に投資し、インテルとＳＴマイクロエレクトロニクスの合弁会社ニューモニクスと分業戦略を通してナノ工程微細化期間を短縮した。