世界ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場を席巻した「半導体・韓国」を日本エルピーダメモリが猛追撃している。

半導体取引仲介会社ＤＲＡＭエクスチェンジが集計した昨年１０－１２月期の世界ＤＲＡＭシェアによると、エルピーダメモリは１９．４％だった。 これは前期（１６．８％）比２．６ポイント増。 ２位のハイニックス（２１．６％）とはわずかな差だ。

これに対しＤＲＡＭ市場で不動の１位を守ってきた三星（サムスン）電子のシェアは７－９月期の３５．６％から１０－１２月期は３１．７％と、３．９ポイント減少した。


三星電子のシェア低下は、エルピーダメモリのほか、米マイクロンテクノロジーと台湾企業のシェア拡大も関係している。４位のマイクロンのシェアは７－９月期の１１．５％から１０－１２月期には１２．２％に上昇した。 ７－９月期にそれぞれ５．５％、３．２％だった台湾の南亜とパワーチップのシェアは１０－１２月には５．７％と４．７％に拡大した。

エルピーダメモリは利益率でも大幅に改善した。プルデンシャル証券は、１月末に１０－１２月期の実績を発表したエルピーダメモリに関する最近の報告書で、「営業利益率が前期の１％から２０％に大幅改善した。実績の改善は業況好調と生産性の改善による」と分析した。

昨年１０－１２月期のハイニックス半導体の営業利益率は２５％と、エルピーダメモリを上回るが、三星電子半導体事業部の営業利益率は２１．２％だった。 三星電子の関係者は「高付加価値製品の量産とマーケティング強化で今年は世界ＤＲＡＭシェアを４０％まで高める」と述べた。