ハイニックス「三星の技術、使用していない」
三星電子の半導体生産工程に関する核心技術が装備会社を通してハイニックス半導体に流出したという捜査結果に半導体業界が揺れている。
三星電子は3日、検察の捜査結果について「輸出主力産業の半導体の核心技術が海外装備会社を通して流出し、海外半導体企業に技術が渡った可能性もあり、国家的な損失が懸念される」と明らかにした。
ハイニックスは三星電子の技術の一部が渡ったという事実を認めたが、「三星の技術は使用していない」という立場を明らかにした。ハイニックス側は問題の銅を使用する工程を利用して、昨年2月から44ナノNAND型フラッシュメモリー生産を始めたが、装備会社のAMKから三星電子の工程技術を受けた時点はこれより遅い5月ということだ。
銅工程は半導体生産コストと関連した核心技術。50ナノ工程以前はチタンやアルミニウムなどを使ってウェハーに回路を形成したが、回路幅が細かくなると、こうした金属では抵抗を最小化できなかった。こうした理由から代案金属として抵抗が低い銅を使い始めた。三星電子は2-3年の研究結果を基礎に08年4月から50ナノ級以下の工程で半導体を量産し始めた。
半導体業界ではこのように一定のウェハー上でいかに多くのチップを作り出すかが競争力となる。
三星電子の半導体生産工程に関する核心技術が装備会社を通してハイニックス半導体に流出したという捜査結果に半導体業界が揺れている。
三星電子は3日、検察の捜査結果について「輸出主力産業の半導体の核心技術が海外装備会社を通して流出し、海外半導体企業に技術が渡った可能性もあり、国家的な損失が懸念される」と明らかにした。
ハイニックスは三星電子の技術の一部が渡ったという事実を認めたが、「三星の技術は使用していない」という立場を明らかにした。ハイニックス側は問題の銅を使用する工程を利用して、昨年2月から44ナノNAND型フラッシュメモリー生産を始めたが、装備会社のAMKから三星電子の工程技術を受けた時点はこれより遅い5月ということだ。
銅工程は半導体生産コストと関連した核心技術。50ナノ工程以前はチタンやアルミニウムなどを使ってウェハーに回路を形成したが、回路幅が細かくなると、こうした金属では抵抗を最小化できなかった。こうした理由から代案金属として抵抗が低い銅を使い始めた。三星電子は2-3年の研究結果を基礎に08年4月から50ナノ級以下の工程で半導体を量産し始めた。
半導体業界ではこのように一定のウェハー上でいかに多くのチップを作り出すかが競争力となる。
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