ソウル東部地検は３日、「半導体製造工程に関する三星（サムスン）電子の核心技術が米国装備会社ＡＭＡＴを通して流出した」とし「このうち一部は国内競争会社のハイニックスなどに渡った」と発表した。


６年間にわたり流出した技術は、国家核心技術に指定されたＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの製作工程など９５件で、ハイニックスには１３件が渡ったという。特に三星電子から流出した技術が米国など海外競合他社にも渡った可能性が高い、というのが検察の説明だ。