検察、１９人摘発…３人拘束

ソウル東部地検は３日、「半導体製造工程に関する三星（サムスン）電子の核心技術が米国装備会社ＡＭＡＴを通して流出した」とし「このうち一部は国内競争会社のハイニックスなどに渡った」と発表した。

６年間にわたり流出した技術は、国家核心技術に指定されたＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの製作工程など９５件で、ハイニックスには１３件が渡ったという。特に三星電子から流出した技術が米国など海外競合他社にも渡った可能性が高い、というのが検察の説明だ。


東部地検のビョン・チァンウ検事補は「流出した技術が他の海外のライバル会社にも渡ったと考えられるが、今回の捜査で確認できなかった」と述べた。ビョン検事補は「これまでの捜査過程で米国装備会社の役員が本社に技術を伝えたという疑いがあるが、捜査の方法がなかった」と説明した。

検察は今回の技術流出による三星電子の直接的な被害は少なくとも数千億ウォンにのぼり、他社との技術格差が縮小することで生じる間接的な被害は数兆ウォン台に達すると推定している。

検察はこの日、三星電子の核心技術を持ち出した容疑（不正競争防止法等の違反）などで米国の半導体装備会社ＡＭＡＴのクァク副社長（４７）ら１９人を摘発したと明らかにした。クァク副社長と流出した技術資料を受けたハイニックス半導体のハン専務（５１）ら３人は拘束、起訴された。技術の流出にかかわった三星電子のナム課長（３７）ら１５人は不拘束起訴、ナ首席研究員（４４）は手配された。

ハイニックス側は「技術流出は一部の職員の非公式的なスタディーレベルで行われたと聞いている。三星電子から流出したという技術を活用したこともない」と主張した。