三星（サムスン）電子が４日、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー８個を積み重ねた積層チップを１ミリメートル以下の薄さにすることに世界で初めて成功したと明らかにした。厚さ０．６ミリメートルの８段積層チップ技術を開発し、３２ギガバイトのＮＡＮＤ型フラッシュ積層チップに使ったもの。この積層チップは厚さ７５０マイクロメートルの１２インチウエハー裏面を１５マイクロメートル薄くし、その分だけフラッシュメモリーを積み上げた。

従来のＮＡＮＤ型フラッシュ積層チップの厚さは１ミリメートルほどだった。新しい加工技術を１ミリメートルのＮＡＮＤ型フラッシュ積層チップに使う場合、厚さはそのままで容量を２倍近く増やしたモバイル製品を作ることができる。チョン・テギョン常務は、「０．６ミリ８段積層チップは大容量積層チップ市場の主力製品に比べ厚さと重さが半分ほどで、モバイル機器市場で人気を呼ぶだろう」と話している。

三星電子は今回の技術開発により現在５０％以上のシェアを持つモバイル用メモリー複合チップ市場で競争力をさらに強化できるものと期待している。半導体市場調査機関のアイサプライは世界のメモリーカード市場で２ギガバイト以上の大容量製品の需要が今年３億１０００万個から２０１２年には７億７０００万個まで増えるという見通しを出している。


◆ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー＝メモリーチップの中にデータを維持するのに電力が必要ない。ＤＲＡＭほど反応は早くないが、衝撃に強い。携帯音楽プレーヤー、デジタルカメラ、携帯電話、ＵＳＢメモリーなどに思い使われる。