３０日、第３四半期実績を発表する席でのことだ。同社は２００３年以後、毎年８兆～１０兆ウォンを設備投資してきたが、金融危機で今年は７兆ウォンとやや落ち込んだ。来年、例年水準の投資規模を回復するわけだ。


チョ・ナムソン専務は「来年にはメモリー半導体の生産量を増やすことより価格競争力を上げることに力を注ぐ。半導体にかかる５兆５０００億ウォンの大部分はＮＡＮＤフラッシュとＤＲＡＭメモリーの工程高度化に使う計画だ」と明らかにした。これによって三星電子は来年販売を目標に３５ナノ級製品を準備中だ。また４０ナノ級製品の割合を今年１０％台から来年末５０％まで上げるという目標を立てた。