三星（サムスン）電子は４０ナノ級（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）極微細工程を適用した８ギガビット（Ｇｂ）用量の「フレックスワンＮＡＮＤ」を開発したと１０日、発表した。

このチップは速度の速い「ＳＬＣ・ＮＡＮＤフラッシュ」と用量の大きい「ＭＬＣ・ＮＡＮＤフラッシュ」メモリーを１つに統合したフュージョンメモリー半導体だ。

ＳＬＣはモバイル機器の電源をつけてプログラムを駆動するとき、ＭＬＣは音楽や動画を保存するときに使われる。２つのチップを１つにしたのがワンＮＡＮＤ、ここから一歩進んでＳＬＣとＭＬＣの割合をモバイル器機の用途によってメーカーが自由に調節できるのがフレックスワンＮＡＮＤだ。既存のＮＡＮＤフラッシュ（１６ＧｂＭＬＣ）製品と比べると、データの読みとり書き込みの速度が４倍早い。


三星の８ＧｂフレックスワンＮＡＮＤ製品はフュージョンメモリーとしては初めて４０ナノ級の極微細工程を採択、既存６０ナノ工程で作った４Ｇｂ製品より生産性が３倍近く高い。この製品は今月下旬から生産、販売される。同社は今年、フュージョンメモリー生産量を昨年の２倍に引き上げる方針だ。市場の主導権を強化するという布石だ。

市場調査機関であるアイサプライはＮＡＮＤフラッシュ市場が今年８９億ドルから２０１２年１４８億ドルと大きくなるものと予測している。

◆ＳＬＣ・ＭＬＣ＝ＮＡＮＤフラッシュメモリーの種類。ＳＬＣ（シングルレベルセル・single level cell）は電子を保存するセル１つで１ビットの情報を書き込めるので速度が速い。またＭＬＣ（多重レベルセル・multi level cell）はセル１つで２～４ビットのデータを書き込め、安値で大容量製品を作ることができるが、データを読みとって書き込む速度はＳＬＣより遅い。