ハイニックス、４０ナノＤＤＲ３ＤＲＡＭを世界初開発

2009.02.09 07:27

ハイニックス半導体が８日に公開した４０ナノ製品は、１ギガビット容量のＤＤＲ３ＤＲＡＭで、第３四半期に量産に入る。昨年初めて市場に登場したＤＤＲ３は、ＤＤＲ２より動作速度が速く、来年上半期にはＤＲＡＭ分野の主力製品として浮上する見通しだ。三星電子も４０ナノＤＤＲ２技術を活用して第３四半期に２Ｇｂ容量の４０ナノＤＤＲ３を生産する予定だ。

半導体産業でナノプロセス技術は競争力の根源となる。国内メーカーの４０ナノＤＲＡＭの生産性は従来の５０ナノ製品より５０～６０％高い。さらに現在の５０ナノプロセスを運営するメーカーも三星電子とハイニックスだけだ。下半期に４０ナノプロセスまで稼働すれば、６０～７０ナノプロセスにとどまる海外メーカーとの格差はより広がる。