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ハイニックス、40ナノDDR3DRAMを世界初開発

ハイニックス半導体が回路線幅40ナノクラスのナノプロセスによるDDR3DRAMを生産する技術を初めて開発した。最近DDR2DRAM開発で初めて40ナノ半導体時代を開いた三星(サムスン)電子に次いでハイニックスもこの隊列に加わった。他の国の競合メーカーとの技術格差は2~3に拡大した。

ハイニックス半導体が8日に公開した40ナノ製品は、1ギガビット容量のDDR3DRAMで、第3四半期に量産に入る。昨年初めて市場に登場したDDR3は、DDR2より動作速度が速く、来年上半期にはDRAM分野の主力製品として浮上する見通しだ。三星電子も40ナノDDR2技術を活用して第3四半期に2Gb容量の40ナノDDR3を生産する予定だ。

半導体産業でナノプロセス技術は競争力の根源となる。国内メーカーの40ナノDRAMの生産性は従来の50ナノ製品より50~60%高い。さらに現在の50ナノプロセスを運営するメーカーも三星電子とハイニックスだけだ。下半期に40ナノプロセスまで稼働すれば、60~70ナノプロセスにとどまる海外メーカーとの格差はより広がる。


国内半導体メーカーは資金面でも状況はましなほうだ。三星電子は半導体で昨年第4四半期に赤字に転落したが、営業損失率は14%にとどまり、年間では黒字を守った。昨年1兆9000億ウォン(約1270万円)の営業損失を出したハイニックスは最近借入と有償増資で8240億ウォンを調達したのに続き、装備売却などで1兆ウォンを追加で確保する計画だ。これに対し世界5位の独キマンダは先月に破産を申請した。3位の日本のエルピーダメモリは昨年第4四半期に営業損失率93.7%に達し、政府に500億円の公的資金注入の要請を検討している。台湾も自国のDRAMメーカーを支援するため政府が700億台湾ドルの資金を確保している。



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