４０ナノプロセス開発で三星電子は海外の競合社と２年近い技術格差をつけた。同社はすでに昨年第３四半期から５０ナノプロセスでＤＲＡＭを生産しているが、日本のエルピーダメモリは上半期中に同クラスの生産が可能になる。米マイクロンも１段階遅れの６０ナノプロセスで堪えている。世界２位のメモリーメーカー、ハイニックス半導体だけが昨年５月から５０ナノプロセスを運営している。ハイニックス半導体の金鍾甲（キム・ジョンガプ）社長は、「近く４０ナノＤＲＡＭ開発を終え第３四半期から量産に入る」と明らかにした。これに比べ力晶半導体（パワーチップ）や茂徳科技（プロモス）など台湾メーカーはハイニックスとエルピーダなどから６０ナノ技術の移転を受けようとしている。

韓国メーカーが不況期に積極的な技術開発に乗り出しているのは、苦しいときほど格差をつけようという意図によるものだ。急いで量産体制を備えれば、市況が回復したときに迅速に価格競争力が高い製品を大量に供給し市場の主導権を握ることができる。実際に半導体景気が底を打ったとの見方もでてきている。半導体調査会社のＤＲＡＭエクスチェンジによると、昨年１２月に０．６ドルまで下がった１ＧｂＤＲＡＭの現物価格はこの日４カ月ぶりに１ドルを回復した。１年６カ月にわたり１０分の１まで落ち込んでいたＤＲＡＭ価格が反騰したのだ。１６ＧｂのＮＡＮＤフラッシュの価格は昨年末に１．７ドルまで落ち込んだが最近では３ドルを回復した。

グッドモーニング新韓証券のキム・ジス研究員は、「メモリーメーカートップの三星電子まで大規模な営業損失を出した前例からみると、市況が底を突いたというシグナルかもしれない」と述べた。需要がすぐには回復せず、急反騰は難しいとの意見が優勢だが、いずれにしても韓国メーカーにとって不利となるものではなさそうだ。

三星電子が４０ナノＤＲＡＭを開発…技術力で２年先行（１）