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三星電子が40ナノDRAMを開発…技術力で2年先行(1)



三星(サムスン)電子が回路線幅40ナノプロセスでDRAMを作る技術を初めて開発した。2000年に150ナノ技術を開発してから10年で8回にわたり「世界初」の記録を続けている。

同社は4日、40ナノプロセスのDDR2DRAM開発に成功したと発表した。2006年9月に50ナノDRAMを開発してから2年5カ月で1段階進歩した製品を開発したことになる。先月まで米インテルでテストした結果、新プロセスで作ったチップを使用した容量1ギガバイト(GB)のDRAMモジュールがきちんと作動するという認証を受けた。第3四半期には動作速度がより速い2GBのDDR3DRAMの量産に入る予定だ。


半導体世界5位の独キマンダが血のにじむ競争に耐えられず先月に破産を申請するほど世界の半導体市場の状況は厳しくなっている。今回の発表はこれを圧倒的な技術優位で克服するという意志を示したものだ。サムスン電子はNANDフラッシュ分野でも昨年末から42ナノプロセスの16ギガビット(Gb)製品の生産に入ったのに続き、下半期から30ナノプロセスの32Gb製品を量産する予定だ。

半導体業界でナノプロセスはそれ自体が競争力だ。メモリー半導体は薄い円盤状のシリコンウエハー上に細い回路を描いて作る。回路線幅が細いほどチップを小さくできる。それだけ同じウエハーで多くのチップを作れることになる。同社の金昌炫(キム・チャンヒョン)専務は、「40ナノプロセスでDRAMを作れば50ナノより生産量を60%近く増やせる」と話している。回路が細くなっただけに作動に必要な電圧も1.5ボルトから1.2ボルトに下がった。それだけ発熱量も少ない。50ナノ級DRAMより30%以上消費電力を減らす効果もある。



三星電子が40ナノDRAMを開発…技術力で2五先行(2)

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