三星（サムスン）電子が回路線幅４０ナノプロセスでＤＲＡＭを作る技術を初めて開発した。２０００年に１５０ナノ技術を開発してから１０年で８回にわたり「世界初」の記録を続けている。


同社は４日、４０ナノプロセスのＤＤＲ２ＤＲＡＭ開発に成功したと発表した。２００６年９月に５０ナノＤＲＡＭを開発してから２年５カ月で１段階進歩した製品を開発したことになる。先月まで米インテルでテストした結果、新プロセスで作ったチップを使用した容量１ギガバイト（ＧＢ）のＤＲＡＭモジュールがきちんと作動するという認証を受けた。第３四半期には動作速度がより速い２ＧＢのＤＤＲ３ＤＲＡＭの量産に入る予定だ。




三星電子が４０ナノＤＲＡＭを開発…技術力で２五先行（２）