본문 바로가기
이전 페이지로 가기 공유하기 주요 서비스 메뉴 열기

三星電子、世界初の4GbDRAMを開発



三星(サムスン)電子が世界で初めて4ギガビット(Gb)容量のDRAM半導体開発に成功した。同社は2007年に60ナノプロセスを使った2GbDDR2DRAMを初めて出し、昨年9月に50ナノプロセスの2GbDDR3DRAMを世界で初めて開発した。5カ月ぶりに容量が2倍の新製品を開発したことになる。データ処理速度は1.6Gbps(1秒当たり英文字16億字を読み書きできる速度)で既存の製品より20%程度速くなった。動作電圧は従来の1.5ボルトから1.35ボルトと低くなり、電力消費が少なく発熱も少ない。

このチップ16個をまとめると8ギガバイト(GB)容量のパソコン用DRAMモジュールを作れる。MP3音楽ファイル2000曲か、DVDクラスの映画2編分を保存できる容量だ。チップを重ねる技術を使えば32GBモジュールの製造も可能だ。新型チップで大容量DRAMモジュールを作れば、電力消費を大幅に減らすことができる。チップ自体の電力消費も減少する上、大容量モジュールを作るのに必要なチップの個数自体が減るためだ。


例えば1Gbチップをまとめてサーバー用16GBモジュールを作るならエラー訂正用チップを含め合わせて144個が必要だが、4Gbチップを使うと36個で足りる。1Gbチップの代わりに4Gbチップを使えば同じ容量のモジュールの電力消費が70%近く減るという説明だ。

金昌鉉(キム・チャンヒョン)専務は、「インターネットポータルや通信業者が運用する大規模データセンターの場合、低電力メモリーを搭載すれば電気料金の節約効果だけでなく、熱放出装備や電力設備の設置・維持・補修費用も減らすことができる」と述べた。さまざまな面で環境にもやさしいという説明だ。

半導体市場調査機関のIDCはDDR3DRAMのうち2Gb以上の高容量製品の割合が今年の3%から2011年には33%に増えるものとみている。

◆DRAM=高速で作動するメモリー半導体で、電機供給が途絶えると保存したデータが消える。パソコンやサーバーの臨時保存用メモリーとして多く使われる。フラッシュメモリーとともにメモリー半導体の主力製品。フラッシュメモリーは読み書きの速度は遅いが、データが消えないためデジタルカメラや携帯電話のデータ保存用途に多く使われる。



関連記事

この記事を読んで…

経済 記事

포토뷰어

最新記事

    もっと見る 0 / 0

    공유하기

    팝업닫기
    top 메뉴