三星（サムスン）電子が競合メーカーに６カ月～１年先駆け、小さくて速いＤＲＡＭの量産に入った。これはメモリー市場がＤＤＲ２からＤＤＲ３に移行する過程で主導権を握ったことになるという評価を受けている。

三星電子は２９日、来月から５０ナノメートルプロセスで２ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ３ＤＲＡＭの量産に入ると明らかにした。６０ナノメートルプロセスによる２ＧｂＤＤＲ２の量産を開始してから１年ぶりとなる。

新製品はデータ伝送速度が１秒当たり１．３Ｇｂ（１３００メガビット＝Ｍｂ）に達し、既存の製品（８００Ｍｂ）より５０％以上速い。５０ナノメートル級の微細プロセスを使い、生産効率も６０％以上向上された。より薄い回路で製品を作るため、チップの大きさも小さくなり、それだけ同じ大きさのウエハーで作れるチップの数が増えたことになる。


三星電子はサーバー用８ギガバイト（ＧＢ）モジュールと、高性能パソコン・ノートパソコン用４ＧＢモジュールを作るのに新型チップを優先供給する予定だ。チップの大きさが縮小しただけに、低価格で大容量モジュールを作れるためだ。

以前は２Ｇｂチップ３２個をまとめ８ＧＢモジュール１つを作るにはチップを２層に積んだ複雑な工程を経なければならなかったが、新型チップは積層せずに作ることができる。電力消費も４０％以上抑えており、それだけ発熱量も減少した。市場調査会社のＩＤＣは市場でのＤＤＲ３ＤＲＡＭの割合が来年の２９％から２０１１年には７５％まで成長するとの見通しを示している。