三星・ハイニックス、メモリーを共同開発

2008.06.26 17:03

三星（サムスン）電子とハイニックス半導体はＳＴＴ－ＲＡＭをはじめとする次世代メモリーを共同開発することで合意した。両社は９月からテラビット（Ｔｂ）級半導体の源泉技術を開発するための共同研究開発（Ｒ＆Ｄ）を開始することにした。

三星とハイニックスはそれぞれ世界メモリー半導体１・２位企業。両社は昨年、世界ＤＲＡＭ市場の４９％、ＮＡＮＤ型フラッシュ市場の５９．３％のシェアを記録している。