中国江蘇省無錫にあるハイニックス半導体のＤＲＡＭ工場で、停電のため生産が一時中断する事故が発生した。

ハイニックスは外部変電所の送電施設の問題で１９日午前１１時３０分（現地時間）から１５時間、電気の供給が中断したと２０日、明らかにした。

停電発生直後から主要装備には非常電力供給装置（ＵＰＳ）を通じて最小限の電源を供給、ウエハーの損失は大きくないと、会社側は説明した。


現在は電力復旧が完了したが、ウエハー洗浄、装備点検などが必要なため、まだ正常には稼働していないという。

金鍾甲（キム・ジョンガプ）ハイニックス社長はこの日、「一部の工程はすでに稼働に入り、遅くとも２日後には完全に稼働する」とし「生産への支障は世界年間ＤＲＡＭ生産量の０．１－０．１５％にしかならない」と話した。

ハイニックスは、停電当時生産中だったウエハーの直接損失が６００万－７００万ドルで、これに約２日間の生産支障損失１０００万－１１００万ドルを合わせると売上高に最大１８００万ドルの影響が予想される、と説明した。

無錫工場はハイニックスとＳＴマイクロ（現ニューモニクス）の共同投資で０６年から生産に入った。 現在３００ミリ（１２インチ）工程のＣ２ラインと２００ミリ（８インチ）のＣ１ラインを稼働している。 Ｃ２ラインはウエハー投入基準で月１２万枚、Ｃ１ラインは月７万枚の生産能力がある。 ハイニックスのＤＲＡＭ総出荷量の４５％を占める。