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サムスン電子、NAND型フラッシュメモリー半導体シェア30%以下に

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
サムスン電子のNAND型フラッシュメモリー半導体市場シェアが2年6カ月ぶりに30%を割った。一方、SKハイニックスは1年ぶりに10%台のシェアを回復した。

半導体電子商取引サイト「DRAMeXchange」は19日、サムスンの今年7-9月期のNAND型フラッシュメモリー半導体市場シェアが29.7%と、4-6月期(30.8%)に比べ1.1ポイント落ちたと明らかにした。

NAND型フラッシュメモリーはDRAMとは違って電源を消しても情報が保存され、モバイル機器、デジタルカメラだけでなく、今後ハードディスクに代わると評価されるソリッドステートドライブ(SSD)などに幅広く使われる。


NAND型フラッシュメモリー分野でサムスンのシェアが30%以下に落ちたのは2012年1-3月期(27.6%)以来2年6カ月ぶり。当時は日本企業の東芝が0.9ポイント差に追い上げた。

DRAMeXchangeは「7-9月期のサムスンの半導体営業利益率は平凡だった」とし「来年から中国西安工場でV-NANDを本格的に量産すれば競争力が上がるとみられる」と説明した。

一方、SKハイニックスは7-9月期、NAND型フラッシュメモリーの売上高を前期比21.7%増やし、市場シェアも10.3%に高めた。SKハイニックスは昨年7-9月期(11.4%)以来1年ぶりに2けたシェアを回復した。

7-9月期のNAND型フラッシュメモリー市場シェアの順位はサムスン電子、東芝、サンディスク、マイクロン、SKハイニックス、インテルの順。



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